ДЕТЕКТОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ Pt2Si/PtSi – Si.

Нами изготовлен фототранзистор с барьером Шоттки на основе контакта Pt2 Si/PtSi – Si, индуцированного, и р – канальный встроенного типаКанал был сформирован внедрением ионов бора с энергией 50 кэв и дозой 2• 1012 см-2. Истоки и стоки полевых транзисторов сформированы диффузией фосфора с поверхностным сопротивлением 8 Ом/□ и диффузией бора 6 Ом/□ на глубину 1,5мкм. Затвор из Pt2Si/PtSi получен методом показанный в работе Рассмотренный ИК – детектор может быть совмещен с элементами интегральных схем, что открывает широкие перспективы для его использования в многоэлементных инфракрасных фотоприемниках большой степени интеграции.